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IPB025N08N3 G /MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB025N08N3 G的规格信息
IPB025N08N3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:73 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:28 ns

零件号别名:IPB025N08N3GATMA1 IPB25N8N3GXT SP000311980

单位重量:4 g

供应商IPB025N08N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB025N08N3 G华强广场C座18J0755-27381274
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPB025N08N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
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IPB025N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥17.16
2000+:¥16.3
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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